ZXTD4591E6TA, Транзистор: NPN / PNP; биполярный
![ZXTD4591E6TA, Транзистор: NPN / PNP; биполярный](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762901.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
361 ֏
от 30 шт. —
269 ֏
от 100 шт. —
215 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\Bipolar (BJT)
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@1A, 100mA;600mV@1A, 100mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@500mA, 5V |
Power Dissipation (Pd) | 1.1W |
Transistor Type | NPN+PNP |
Transition Frequency (fT) | 180MHz;150MHz |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V |
Maximum DC Collector Current | 1A |
Pd - Power Dissipation | 1.1W |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Вес, г | 0.353 |