FZT689BTA, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
405 ֏
от 30 шт. —
335 ֏
от 100 шт. —
270 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN High Gain & Crnt
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 150 at 6 A, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 150 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 8 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FZT689 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 20 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum DC Current Gain | 500 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 678 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FZT689BTA
pdf, 257 КБ
Datasheet FZT689BTA
pdf, 633 КБ
