ADTC114ECAQ-7, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 1 100 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Pre-biased Small Signal Transistor
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 30@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 310mW |
| Pd - рассеивание мощности | 310 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходное напряжение | 0.1 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 323 КБ
