DDC114TU-7-F, Транзистор: NPN

DDC114TU-7-F, Транзистор: NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
128 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.75 ֏
от 150 шт.58 ֏
от 500 шт.49 ֏
5 шт. на сумму 640 ֏
Номенклатурный номер: 8017550989
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL NPN 200mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Конфигурация Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 600
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDC114
Тип NPN Pre-Biased Small Signal SOT-363 Dual Surface M
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-363-6
Ширина 1.35 mm
Base Product Number DDC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 10kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-363
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100ВµA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 456 КБ
Datasheet
pdf, 407 КБ
Datasheet
pdf, 466 КБ