Silicon P-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 SSM3J351R,LF(T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8 недель
260 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 780 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having P channel MOS type. It is mainly used in power management switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.29e+008 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Material | Silicon |
| Drain Source On State Resistance | 0.129Ом |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 3.5А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.129Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23F |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J351R,LF
pdf, 238 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
