Dual N-Channel MOSFET, 21 A, 800 V, 3-Pin D2PAK SIHB24N80AE-GE3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 400 ֏

Кратность заказа 2 шт.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 10 800 ֏

Номенклатурный номер: 8017558975

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses. Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	21 A
Maximum Drain Source Resistance	0.184 Ω
Maximum Drain Source Voltage	800 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	2
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Series	E Series
Transistor Material	Si
Drain Source On State Resistance	0.16Ом
Power Dissipation	208Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	E
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	800В
Непрерывный Ток Стока	21А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	208Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.16Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Вес, г	1