RFD16N05LSM9A-VB, 60V 35A 25m-@10V,15A 100W 2V@250uA 60pF@25V N Channel 670pF@25V 11nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252-3 MOSFETs
1 шт., срок 7-8 недель
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
60V 35A 25mΩ@10V,15A 100W 2V@250uA N Channel TO-252 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 35A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V, 15A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 670pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 100W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 60pF@25V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.47 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 233 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
