RGT40NL65DGTL, 161W -40-~+175-@(Tj) 40A 650V Trench Field Stop 60A LPDS IGBTs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
42 шт., срок 7-8 недель
3 290 ֏
от 10 шт. —
2 490 ֏
от 30 шт. —
2 300 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 290 ֏
Описание
Траншейные IGBT с полевым затвором
ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 161 W |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Другие названия товара №: | RGT40NL65D |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | +175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | -40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 40 A |
| Подкатегория: | IGBTs |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 200 nA |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | TO-263L-3 |
| Упаковка: | Reel, Cut Tape |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Power Dissipation | 161Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1.81 |
Техническая документация
Datasheet RGT40NL65DGTL
pdf, 1102 КБ
Datasheet RGT40NL65DGTL
pdf, 1109 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
