2SC3326-B,LF(T, Транзистор биполярный BJT 100нА 20В 150мВт 350@400мА,2В 300мА 30МГц 42мВ@30мА,3мА NPN +125°C@(Tj) SOT-23-3L

41975 шт., срок 6 недель
152 ֏
Кратность заказа 5 шт.
5 шт. на сумму 760 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8017593316
Бренд: Toshiba

Описание

20V 150mW 350@400mA,2V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 300mA
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 20V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 42mV@30mA, 3mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 350@400mA, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 150mW
Transistor Type NPN
Transition Frequency (fT) 30MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 20V
Maximum DC Collector Current 300mA
Pd - Power Dissipation 150mW
Вес, г 0.03

Техническая документация

Datasheet 2SC3326-B,LF(T
pdf, 228 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 14 августа1 бесплатно
HayPost 18 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг