TPS1100DR, 15V 1.6A 180mOhm@10V,1.5A 791mW 1.5V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs
![TPS1100DR, 15V 1.6A 180mOhm@10V,1.5A 791mW 1.5V@250uA P Channel SOIC-8 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515629.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 500 ֏
от 10 шт. —
1 060 ֏
от 30 шт. —
950 ֏
1 шт.
на сумму 1 500 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\MOSFETs
МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 1.6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V, 1.5A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 15V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
Power Dissipation (Pd) | 791mW |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 5.45nC@10V |
Type | 1PCSPChannel |
Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
Pd - рассеивание мощности | 791 mW |
Qg - заряд затвора | 5.45 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, + 2 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 10 ns |
Высота | 1.75 mm |
Длина | 4.9 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 2.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | TPS1100 |
Технология | Si |
Тип | PMOS Switches |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 13 ns |
Типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | SOIC-8 |
Ширина | 3.9 mm |
Вес, г | 0.11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 772 КБ