MMBT8550D(2TY), Транзистор биполярный BJT 100 нА 25 В 350мВт 160 при 100 мА, 1 В 600 мА 100 МГц 500 мВ при 500 мА, 50 мА PNP +150°C при (Tj)
1650 шт., срок 7-8 недель
23 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
14 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 150 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
25V 350mW 160@100mA,1V 600mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@500mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 350mW |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet MMBT8550D(2TY)
pdf, 383 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
