MMBT5401, 50nA 150V 350mW 60@10mA,5V 600mA 100MHz 500mV@50mA,5mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT
17600 шт., срок 7-8 недель
23 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
14 ֏
от 3000 шт. —
11 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 150 ֏
Описание
150V 300mW 600mA PNP SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 150V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA, 5mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 5V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 300mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.03 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
