ZXTC2045E6TA, Транзистор биполярный BJT 20 нА 30 В 1,1 Вт 300 при 100 мА, 2 В 1,5 А 375 мВ при 750 мА, 15 мА 1PCSNPN&1PCSPNP -55°C+150°C@(Tj
![ZXTC2045E6TA, Транзистор биполярный BJT 20 нА 30 В 1,1 Вт 300 при 100 мА, 2 В 1,5 А 375 мВ при 750 мА, 15 мА 1PCSNPN&1PCSPNP -55°C+150°C@(Tj](https://static.chipdip.ru/lib/762/DOC016762901.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 30 V |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1.7 W |
Minimum DC Current Gain | 180 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Type | NPN+PNP |
Вес, г | 0.5 |