SBR1U200P1-7, 750mV@1A 200V 1A 50uA@200V Power-DI-123-2 Super Barrier Rectifier (SBR) ROHS
![SBR1U200P1-7, 750mV@1A 200V 1A 50uA@200V Power-DI-123-2 Super Barrier Rectifier (SBR) ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/964/DOC021964758.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
312 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
196 ֏
от 150 шт. —
169 ֏
от 500 шт. —
137 ֏
5 шт.
на сумму 1 560 ֏
Описание
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes.
Технические параметры
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | Schottky |
Diode Type | Schottky |
Maximum Continuous Forward Current | 1A |
Maximum Forward Voltage Drop | 820mV |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | PowerDI 123 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 40A |
Peak Reverse Recovery Time | 25ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 200V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Schottky Rectifier |
Вес, г | 0.61 |