MMBT9014C, 50nA 45V 200mW 200@1mA,5V 100mA 100MHz 250mV@100mA,10mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
1200 шт., срок 7-8 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
14 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
45V 200mW 200@1mA,5V 100mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 50nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 250mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@5mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT9014C
pdf, 147 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
