MMBT9014B, 45V 200mW 100mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT
250 шт., срок 7-8 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
45V 200mW 100mA NPN TO-236-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 45V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT9014B
pdf, 665 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
