2N5551, Транзистор биполярный BJT 50нА 160В 625мВт 80@10мА,5В 600мА 100МГц 200мВ@50мА,5мА NPN +150°C@(Tj) TO-92-3 Транзистор биполярный BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7300 шт., срок 7-8 недель

40 ֏

Кратность заказа 20 шт.

от 200 шт. — 27 ֏

от 1000 шт. — 20 ֏

от 2000 шт. — 19 ֏

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 800 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8017597587

Бренд: Semtech

Brand	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO	180 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.2 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	0.6 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min	80
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	2500
Gain Bandwidth Product FT	300 MHz
Manufacturer	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current	0.6 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-65 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-92-3
Packaging	Bulk
Part # Aliases	2N5551 PBFREE
Pd - Power Dissipation	625 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	2N5551
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Вес, г	0.27