8550D, 100nA 25V 625mW 160@100mA,1V 800mA 100MHz 500mV@500mA,50mA PNP +150°C@(Tj) TO-92-3 BIpolar TransIstors - BJT
800 шт., срок 7-8 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
18 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Описание
25V 625mW 160@100mA,1V 800mA PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 1.5A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 25V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 280mV@800mA, 80mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 160@100mA, 1V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 625mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 25V |
| Manufacturer | Semtech |
| Maximum DC Collector Current | 800mA |
| Package / Case | TO-92(TO-92-3) |
| Packaging | Bag-packed |
| Pd - Power Dissipation | 625mW |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet 8550D
pdf, 192 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
