MMBTSC945P(CR), 100nA 50V 200mW 200@1mA,6V 150mA 300MHz 300mV@100mA,10mA NPN +150°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT
1850 шт., срок 7-8 недель
32 ֏
Кратность заказа 50 шт.
от 500 шт. —
23 ֏
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 600 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
50V 200mW 200@1mA,6V 150mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 150mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@100mA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@1mA, 6V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 300MHz |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBTSC945P(CR)
pdf, 130 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
