MMBTRC231S(RJ), +150°C@(Tj) 200@50mA,5V 2.2kOhm 80mV@50mA,2.5mA 200MHz 200mW 600mA 15V 500nA 1 NPN - Pre BIased SOT-23-3L DIgItal TransIsto
80 шт., срок 7-8 недель
40 ֏
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
200@50mA,5V 1 NPN - Pre Biased 200mW 600mA 15V SOT-23 Digital Transistors ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 600mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 15V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 200@50mA, 5V |
| Input Resistor | 2.2kΩ |
| Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce) | - |
| Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce) | - |
| Operating Temperature | - |
| Output Voltage (VO(on)@Io/Ii) | - |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Resistor Ratio | - |
| Transistor Type | 1 NPN-Pre Biased |
| Вес, г | 0.03 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
