TPH3R704PL,L1Q, 40V 92A 81W 3.7mOhm@10V,46A 2.4V@200uA N Channel DSOP-8-EP-5.0mm MOSFETs

TPH3R704PL,L1Q, 40V 92A 81W 3.7mOhm@10V,46A 2.4V@200uA N Channel DSOP-8-EP-5.0mm MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4326 шт., срок 7-8 недель
1 290 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 290 ֏
Номенклатурный номер: 8017600683
Бренд: Toshiba

Описание

Trans MOSFET N-CH Si 40V 92A 8-Pin SOP Advance

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C 92A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) 81W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance 3.7mО© @ 46A,10V
Transistor Polarity N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40V
Vgs - Gate-Source Voltage 2.4V @ 200uA
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 92
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 3.7@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 40
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 3000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Part Status Active
PCB changed 8
Pin Count 8
PPAP No
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name SOP
Supplier Package SOP Advance
Typical Fall Time (ns) 6.2
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 27
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 13.3@4.5V|27@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 1910@20V
Typical Rise Time (ns) 5.3
Вес, г 0.11

Техническая документация

Datasheet
pdf, 497 КБ
Datasheet TPH3R704PL,L1Q
pdf, 465 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг