MMBT9012G, 100nA 30V 200mW 100@50mA,1V 500mA 100MHz 600mV@500mA,50mA PNP +150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
250 шт., срок 7-8 недель
27 ֏
Кратность заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 350 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
30V 200mW 100@50mA,1V 500mA PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 500mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 180mV@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 190@50mA, 1V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 225mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | - |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Maximum DC Collector Current | 500mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT9012G
pdf, 173 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг