TK290P65Y,RQ, 650V 11.5A 100W 290mOhm@10V,5.8A 4V@450uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1980 шт., срок 5-6 недель
2 820 ֏
1 шт.
на сумму 2 820 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 11.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Qg - заряд затвора | 25 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 230 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 25 ns |
Время спада | 8.5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | DTMOSV |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | TK290P65Y |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 170 ns |
Типичное время задержки при включении | 65 ns |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Automotive | No |
Military | No |
Packaging | Tape and Reel |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | DPAK |
Вес, г | 0.61 |
Техническая документация
Datasheet TK290P65Y,RQ
pdf, 451 КБ
Datasheet TK290P65Y.RQ
pdf, 452 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг