TK290P65Y,RQ, 650V 11.5A 100W 290mOhm@10V,5.8A 4V@450uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs

TK290P65Y,RQ, 650V 11.5A 100W 290mOhm@10V,5.8A 4V@450uA N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1980 шт., срок 5-6 недель
2 820 ֏
1 шт. на сумму 2 820 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8017601643
Бренд: Toshiba

Описание

МОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 11.5 A
Pd - рассеивание мощности 100 W
Qg - заряд затвора 25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 230 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 25 ns
Время спада 8.5 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение DTMOSV
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2000
Серия TK290P65Y
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 170 ns
Типичное время задержки при включении 65 ns
Торговая марка Toshiba
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок DPAK-3
Automotive No
Military No
Packaging Tape and Reel
Pin Count 3
Supplier Package DPAK
Вес, г 0.61

Техническая документация

Datasheet TK290P65Y,RQ
pdf, 451 КБ
Datasheet TK290P65Y.RQ
pdf, 452 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 25 августа1 бесплатно
HayPost 28 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг