SSM6N56FE,LM, 20V 800mA 150mW 235mOhm@4.5V,800mA 1V@1mA 2 N-Channel ES-6 MOSFETs
3571 шт., срок 7-8 недель
196 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 196 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
20V 800mA 150mW 235mΩ@4.5V,800mA 1V@1mA 2 N-Channel SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 800mA |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 235mΩ@4.5V, 800mA |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 55pF@10V |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1nC@4.5V |
Type | 2 N-Channel |
Вес, г | 0.02 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг