TTC004B,Q, Транзистор биполярный BJT 100 нА 160 В 10 Вт 140 при 100 мА, 5 В 1,5 А 100 МГц 500 мВ при 500 мА, 50 мА NPN +150°C @(Tj) TO-126

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2649 шт., срок 6 недель

630 ֏

1 шт. на сумму 630 ֏

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8017601881

Бренд: Toshiba

Описание Транзистор биполярный TO225

кол-во в упаковке	1
Brand	Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO	160 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	1.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	140
DC Current Gain hFE Max	280
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	250
Gain Bandwidth Product fT	100 MHz
Manufacturer	Toshiba
Maximum DC Collector Current	1.5 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-126N-3
Pd - Power Dissipation	10 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	TTC004B
Technology	Si
Transistor Polarity	NPN
Вес, г	84