DSS5160U-7, 100nA 60V 400mW 100@1A,5V 1A 150MHz 340mV@1A,100mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT
![DSS5160U-7, 100nA 60V 400mW 100@1A,5V 1A 150MHz 340mV@1A,100mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530039.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
207 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
115 ֏
от 150 шт. —
88 ֏
от 500 шт. —
74 ֏
5 шт.
на сумму 1 035 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 340 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 1 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-323-3 |
Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DSS51 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 112 КБ