FCX617TA, 100nA 15V 2W 150@5A,2V 3A 120MHz 150mV@3A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
![FCX617TA, 100nA 15V 2W 150@5A,2V 3A 120MHz 150mV@3A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
1 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 10 mA, 2 V, 300 at 200 mA, 2 V, 200 at 3 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 15 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 15 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCX61 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.5 mm |
Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet FCX617TA
pdf, 77 КБ