FCX718TA, 20V 2W 2.5A PNP SOT-89-3 Bipolar Transistors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
326 ֏
от 150 шт. —
286 ֏
5 шт.
на сумму 2 420 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP Low Saturation
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 145 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 2.5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | FCX718 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 20В |
| Continuous Collector Current | 2.5А |
| DC Current Gain hFE Min | 35hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 35hFE |
| Power Dissipation | 2Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
| Частота Перехода ft | 180МГц |
| Maximum Collector Base Voltage | -20 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -20 V |
| Maximum DC Collector Current | -2.5 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2 W |
| Minimum DC Current Gain | 300 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-89 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.22 |
