ZXTD619MCTA, 100nA 50V 1.5W 40@6A,2V 4A 165MHz 270mV@4A,200mA 2 NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-8-EP(3x2) BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

970 ֏

от 10 шт. — 660 ֏

от 30 шт. — 570 ֏

от 100 шт. — 510 ֏

1 шт. на сумму 970 ֏

Номенклатурный номер: 8017602354

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT Dual 50V NPN Low Sat 4A Ic 68mOhm 6A HFE

Pd - рассеивание мощности	2.45 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300 at 200 mA, 2 V
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450 at 200 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	6 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	270 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	165 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	ZXTD619
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	DFN3020B-8
Вес, г	0.04