2DC4617S-7-F, SOT-523 Bipolar Transistors - BJT
![2DC4617S-7-F, SOT-523 Bipolar Transistors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529331.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 ֏
от 10 шт. —
84 ֏
от 30 шт. —
71 ֏
от 100 шт. —
54 ֏
1 шт.
на сумму 97 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.75 mm |
Длина | 1.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 270 at 1 mA, 6 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 150 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | 2DC46 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-523-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 313 КБ