ZX5T955GTA, 20nA 140V 1.2W 5@10A,5V 4A 120MHz 275mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
![ZX5T955GTA, 20nA 140V 1.2W 5@10A,5V 4A 120MHz 275mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514428.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
383 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
242 ֏
от 150 шт. —
212 ֏
от 1000 шт. —
173 ֏
5 шт.
на сумму 1 915 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 140V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.7 mm |
Длина | 6.7 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 140 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | ZX5T955 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Ширина | 3.7 mm |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet ZX5T955GTA
pdf, 376 КБ