ZX5T955GTA, 20nA 140V 1.2W 5@10A,5V 4A 120MHz 275mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT

ZX5T955GTA, 20nA 140V 1.2W 5@10A,5V 4A 120MHz 275mV@3A,300mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
383 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.242 ֏
от 150 шт.212 ֏
от 1000 шт.173 ֏
5 шт. на сумму 1 915 ֏
Номенклатурный номер: 8017605097
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 140V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 3 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.7 mm
Длина 6.7 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 140 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 4 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 120 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия ZX5T955
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet ZX5T955GTA
pdf, 376 КБ