CSD25484F4, MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
137 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
97 ֏
5 шт.
на сумму 685 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\MOSFETs
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 2.5A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 94mΩ@500mA, 8V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 230pF@10V |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.42nC@4.5V |
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 8.5 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PICOSTAR-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.09 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 825 mOhms |
| Rise Time: | 5 ns |
| Series: | CSD25484F4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Вес, г | 0.03 |
