WSB5558N-2/TR, 30uA@30V 30V Single 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Barrier Diodes (SBD)
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
7140 шт., срок 5-6 недель
84 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
53 ֏
от 300 шт. —
42 ֏
от 1000 шт. —
36 ֏
10 шт.
на сумму 840 ֏
Номенклатурный номер: 8017612350
Бренд: WILLSEMI(Will Semicon)
Описание
30V Single 450mV@100mA 100mA DFN1006-2L Schottky Barrier Diodes (SBD) ROHS
Технические параметры
Average Rectified Current (Io) | 100mA |
Diode Configuration | Single |
Forward Voltage (Vf@If) | 450mV@100mA |
Reverse Leakage Current (Ir) | 30uA@30V |
Reverse Voltage (Vr) | 30V |
Manufacturer | WILLSEMI(Will Semicon) |
Package / Case | DFN1006-2L |
Packaging | Tape и Reel(TR) |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг