DDC114YH-7, 2 NPN - Pre-Biased 150mW 100mA 50V SOT-563 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 ֏
Кратность заказа 10 шт.
от 100 шт. —
62 ֏
от 300 шт. —
49 ֏
10 шт.
на сумму 1 100 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K 47K
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 68@10mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.6 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 68 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DDC114 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.212 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Ширина | 1.2 mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet DDC114YH-7
pdf, 248 КБ
