2SA1941-O(S1,E,S), 5uA 140V 100W 83@5A,5V 10A 30MHz 800mV@7A,700mA PNP +150°C@(Tj) TO-3P-3 BIpolar TransIstors - BJT

403 шт., срок 6 недель
1 340 ֏
1 шт. на сумму 1 340 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8017613217
Бренд: Toshiba

Описание

140V 100W 83@5A,5V 10A PNP TO-3P-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 10A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 5uA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 140V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 800mV@7A, 700mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 83@5A, 5V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 100W
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 30MHz
Collector-Emitter Breakdown Voltage 140V
Maximum DC Collector Current 10A
Pd - Power Dissipation 100W
Вес, г 6.32

Техническая документация

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 14 августа1 бесплатно
HayPost 18 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг