2DB1188R-13, 100nA 32V 1W 180@500mA,3V 2A 120MHz 350mV@2A,200mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

159 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 97 ֏

от 150 шт. — 80 ֏

от 500 шт. — 69 ֏

5 шт. на сумму 795 ֏

Номенклатурный номер: 8017615175

Бренд: DIODES INC.

Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo

Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	390
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	800 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	120 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DB11
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.48 mm
Вес, г	0.27