SSM3J35CT,L3F(T, 20V 100mA 100mW 8Ohm@4V,50mA 1V@1mA P Channel CST-3 MOSFETs
19575 шт., срок 7-8 недель
205 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 025 ֏
Описание
20V 100mA 100mW 8Ω@4V,50mA 1V@1mA 1PCSPChannel CST-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 8Ω@4V, 50mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@1mA |
| Power Dissipation (Pd) | 100mW |
| Type | 1PCSPChannel |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 100mA |
| Manufacturer | Toshiba |
| Package / Case | CST3 |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 100mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 8Ω 50mA, 4V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V 1mA |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet SSM3J35CT,L3F(T
pdf, 345 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
