TK100E10N1,S1X(S, 100V 100A 255W 3.4mOhm@10V,50A 4V@1mA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS

Фото 1/3 TK100E10N1,S1X(S, 100V 100A 255W 3.4mOhm@10V,50A 4V@1mA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
212 шт., срок 6-7 недель
2 270 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 270 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8017622899
Бренд: Toshiba

Описание

Транзистор полевой N-канальный 100В 207A 255Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 207 A
Maximum Drain Source Resistance 3.4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 100 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 255 W
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-220
Pin Count 3
Series TK
Transistor Configuration Single
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 140 nC @ 10 V
Width 4.45mm
Вес, г 2.68

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг