TK100E10N1,S1X(S, 100V 100A 255W 3.4mOhm@10V,50A 4V@1mA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS
![Фото 1/3 TK100E10N1,S1X(S, 100V 100A 255W 3.4mOhm@10V,50A 4V@1mA N Channel TO-220 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/751/DOC021751660.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/192/DOC036192241.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
212 шт., срок 6-7 недель
2 270 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 270 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзистор полевой N-канальный 100В 207A 255Вт 3-Pin(3+Tab) TO-220
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 207 A |
Maximum Drain Source Resistance | 3.4 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 255 W |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | TK |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
Width | 4.45mm |
Вес, г | 2.68 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг