RN1403,LF(T, 50V 200mW 100mA NPN TO-236-MOD Bipolar Transistors - BJT
Описание
50V 200mW 100mA NPN TO-236-MOD Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transistor Type | NPN |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet RN1403,LF(T
pdf, 580 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 14 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 18 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
