TK5A65D(STA4,Q,M), 650V 5A 40W 1.43Ohm@10V,2.5A 4V@1mA N Channel SC-67 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
997 шт., срок 7-8 недель
850 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 850 ֏
Описание
π-MOS VII MOSFETs Toshiba -MOS VII MOSFETs are 10V Gate Drive, single N-channel devices, combining -MOS technology with a planar process to provide a wide selection of voltage and RDS(ON) ratings. These high-voltage MOSFETs offer a drain-source voltage range of 250V up to 650V and a drain current range from 2A to 20A. Vishay -MOS VII MOSFETs are offered in TO-220-3 and TO-252 through-hole packages and compact DPAK-3 and PW-Mold-3 surface mount packages.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.43 Ohms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.25 |
Техническая документация
Datasheet TK5A65D(STA4.Q.M)
pdf, 191 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
