DDA113TU-7-F, 2 NPN - Pre-Biased 200mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 ֏
от 10 шт. —
71 ֏
от 30 шт. —
34 ֏
1 шт.
на сумму 110 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K
Технические параметры
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DDA113 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 404 КБ
