DXT3906-13, 50nA 40V 1W 100@10mA,1V 200mA 250MHz 400mV@50mA,5mA PNP -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
322 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
207 ֏
от 150 шт. —
181 ֏
от 500 шт. —
148 ֏
5 шт.
на сумму 1 610 ֏
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 30 at-100 mA, -1 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DXT3906 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet DXT3906-13
pdf, 176 КБ
