FCX619TA, 100nA 50V 2W 30@6A,2V 3A 165MHz 240mV@2.75A,100mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT
![Фото 1/3 FCX619TA, 100nA 50V 2W 30@6A,2V 3A 165MHz 240mV@2.75A,100mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-89-3 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/549/DOC021549316.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166832.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519976.jpg)
530 ֏
от 10 шт. —
308 ֏
от 30 шт. —
212 ֏
от 100 шт. —
169 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN Low Saturation
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 165 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCX61 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.5 mm |
Base Product Number | FCX619 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 2A, 2V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 165MHz |
HTSUS | 8541.29.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-243AA |
Power - Max | 2W |
REACH Status | REACH Affected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-89-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 320mV @ 100mA, 2.75A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Automotive | No |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Flat |
Material | Si |
Maximum Base Current (A) | 0.5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1.1 100mA 2.75A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
Maximum DC Collector Current (A) | 3 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 165(Typ) |
Minimum DC Current Gain | 200 10mA 2V|300 200mA 2V|200 1A 2V|100 2A 2V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-89 |
Tab | Tab |
Type | NPN |
Collector Emitter Voltage Max | 50В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
Power Dissipation | 2Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
Частота Перехода ft | 165МГц |
Вес, г | 1 |