MMDT2227Q-7-F, Транзистор биполярный BJT 10 нА 200мВт 100 при 150 мА, 10 В 600 мА 1PCSNPN и 1PCSPNP -55°C+150°C@(Tj) SOT-363

MMDT2227Q-7-F, Транзистор биполярный BJT 10 нА 200мВт 100 при 150 мА, 10 В 600 мА 1PCSNPN и 1PCSPNP -55°C+150°C@(Tj) SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
154 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.97 ֏
от 150 шт.80 ֏
от 500 шт.68 ֏
5 шт. на сумму 770 ֏
Номенклатурный номер: 8017625838
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max NPN 40В
Collector Emitter Voltage Max PNP 40В
Continuous Collector Current NPN 600мА
Continuous Collector Current PNP 600мА
DC Current Gain hFE Min NPN 100hFE
DC Current Gain hFE Min PNP 100hFE
DC Ток Коллектора 600мА
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Power Dissipation NPN 200мВт
Power Dissipation PNP 200мВт
Transition Frequency NPN 300МГц
Transition Frequency PNP 200МГц
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 40В
Полярность Транзистора Complementary NPN and PNP
Рассеиваемая Мощность 200мВт
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора SOT-363
Вес, г 0.006