MMDT2222V-7, 10nA 40V 150mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA 2 NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-563 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

198 ֏

Кратность заказа 5 шт.

от 50 шт. — 128 ֏

от 150 шт. — 110 ֏

от 500 шт. — 96 ֏

5 шт. на сумму 990 ֏

Номенклатурный номер: 8017625905

Бренд: DIODES INC.

Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Configuration	Dual
DC Collector/Base Gain Hfe Min	35
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product FT	300 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	0.6 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-563-6
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	150 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	MMDT22
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Вес, г	0.01