FMMT619TC, 100nA 50V 625mW 40@6A,2V 2A 165MHz 150mV@2A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT
![FMMT619TC, 100nA 50V 625mW 40@6A,2V 2A 165MHz 150mV@2A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472445.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
247 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
154 ֏
от 150 шт. —
137 ֏
от 500 шт. —
118 ֏
5 шт.
на сумму 1 235 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 150 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 2 A |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 165 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 2 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | FMMT61 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 236 КБ