FMMT619TC, 100nA 50V 625mW 40@6A,2V 2A 165MHz 150mV@2A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT

FMMT619TC, 100nA 50V 625mW 40@6A,2V 2A 165MHz 150mV@2A,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23-3 BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
247 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт.154 ֏
от 150 шт.137 ֏
от 500 шт.118 ֏
5 шт. на сумму 1 235 ֏
Номенклатурный номер: 8017629557
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 150 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 2 A
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10000
Gain Bandwidth Product fT: 165 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: FMMT61
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 236 КБ