MMBT2222ALP4-7B, 10nA 40V 460mW 100@150mA,10V 600mA 300MHz 1V@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) DFN-3(1x0.6) BIpolar TransIstors - BJT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
168 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
106 ֏
5 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\Bipolar (BJT)
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X2-DFN1006-3 T&R 10K
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 600mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 10nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
Power Dissipation (Pd) | 460mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 300MHz |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 at 100 uA, 10 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 150 mA, 10 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 600 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | MMBT2222 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X2-DFN1006-3 |
Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet MMBT2222ALP4-7B
pdf, 149 КБ
Datasheet MMBT2222ALP4-7B
pdf, 150 КБ