HMC717ALP3ETR, QFN-16-EP(3x3) Low Noise Amplifiers (LNA) - RF ROHS
![HMC717ALP3ETR, QFN-16-EP(3x3) Low Noise Amplifiers (LNA) - RF ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/547/DOC010547443.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 700 ֏
от 10 шт. —
5 600 ֏
от 30 шт. —
4 840 ֏
1 шт.
на сумму 6 700 ֏
Описание
RF and Wireless\RF Amplifiers
RF, микроволновая печь, amp; Миллиметровая волна ADI SLP
Технические параметры
Applications | LTE;WiMax |
Frequency Range | 4.8GHz~6GHz |
Gain | 16.5dB |
Noise Figure | 1.25dB |
Supply Current | 73mA |
Supply Voltage | 3V~5V |
NF - коэффициент шумов: | 1.3 dB |
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка: | 29.5 dBm |
P1dB - точка сжатия: | 18 dBm |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Категория продукта: | РЧ-усилитель |
Количество каналов: | 1 Channel |
Максимальная рабочая температура: | +85 C |
Минимальная рабочая температура: | -40 C |
Подкатегория: | Wireless и RF Integrated Circuits |
Производитель: | Analog Devices Inc. |
Рабочая частота: | 4.8 GHz to 6 GHz |
Рабочее напряжение питания: | 3 V to 5 V |
Рабочий ток источника питания: | 68 mA |
Размер фабричной упаковки: | 500 |
Серия: | HMC717 |
Технология: | GaAs |
Тип продукта: | RF Amplifier |
Тип: | Low Noise Amplifiers |
Торговая марка: | Analog Devices |
Упаковка / блок: | QFN-16 |
Усиление: | 14.5 dB |
Чувствительный к влажности: | Yes |
Вес, г | 3.64 |
Техническая документация
Datasheet HMC717ALP3E
pdf, 792 КБ