2DC4672-13, Bipolar Transistors - BJT
![Фото 1/3 2DC4672-13, Bipolar Transistors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/120/DOC029120174.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519976.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
203 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
137 ֏
от 150 шт. —
119 ֏
от 500 шт. —
104 ֏
5 шт.
на сумму 1 015 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\Bipolar (BJT)
Биполярные транзисторы - BJT 50V 3A NPN SMT
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 3A |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 350mV@50mA, 1A |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 82@500mA, 2V |
Power Dissipation (Pd) | 900mW |
Transistor Type | NPN |
Transition Frequency (fT) | 180MHz |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 45 at 1.5 A, 2 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 82 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 105 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 3 a |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Производитель | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | 2DC46 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.5 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum DC Collector Current | 3 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 82 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.24 |