BFS17NTA, 500nA 11V 310mW 56@5mA,10V 50mA 3.2GHz 500mV@25mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT
![Фото 1/2 BFS17NTA, 500nA 11V 310mW 56@5mA,10V 50mA 3.2GHz 500mV@25mA,5mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) SOT-23 BIpolar TransIstors - BJT](https://static.chipdip.ru/lib/131/DOC021131569.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472444.jpg)
484 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
291 ֏
от 150 шт. —
256 ֏
от 500 шт. —
212 ֏
5 шт.
на сумму 2 420 ֏
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max | 11В |
Continuous Collector Current | 50мА |
DC Current Gain hFE Min | 56hFE |
DC Ток Коллектора | 50мА |
DC Усиление Тока hFE | 56hFE |
Power Dissipation | 310мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-23 |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 11В |
Полярность Транзистора | NPN |
Рассеиваемая Мощность | 310мВт |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Частота Перехода ft | 3.2ГГц |
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 11 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 50 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 56 at 5 mA, 10 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 3 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Operating Frequency: | 3.2 GHz |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 310 mW |
Product Category: | RF Bipolar Transistors |
Product Type: | RF Bipolar Transistors |
Series: | BFS17 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Transistor Type: | Bipolar |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 145 КБ